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基于磷化铟材料的10G DFB Laser光发射芯片具有低阈值、高功率，工业级温度和高可靠性特性，产品可用于光纤通信、数据中心和接入网等领域。芯片结构为含Al量子阱、脊波导结构；运用MOCVD设备生长外延片、光栅层二次外延；主要晶圆制造工艺包括Stepper曝光、EBL光栅曝光、ICP刻蚀光栅、E-Gun/sputter金属、自动腐蚀/清洗、减薄和划裂等。

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