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1310nm SOA Chip是一款高增益、高饱和输出功率、低噪声指数NF和低偏振相关特性的半导体光放大器芯片。采用InGaAsP/InP多量子阱结构设计和掩埋异质结结构（Buried Heterostructure）工艺，输入/输出端面上均镀有抗反膜。芯片在25℃，120mA，输入光功率在-25dbm条件下典型增益可在18dB以上，噪声在7.5dB，PDG在1.5dB。所有出货的芯片均须符合100%的测试规格。可作为前置放大和线路放大应用于数据中心与WDM网络中。
