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描述
1、通过MOCVD在InP衬底上生长InP/InGaAsP或InP/InGaAIAs激光外延结构，提供中心波长从1250nm至1650nm的各类FP及DFB激光器外延片;
2、特征

中心波长从1250至1650nm
厚度误差控制在5%以内
掺杂浓度1e17至1e19，误差控制在20%以内
材料缺陷低50cm-2(D>10um)。

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