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GaAs/InGaAs P-I-N 光電探測器 (PD) 以裸晶/陣列形式提供，也可整合背面微透鏡結構以增加耦光效率。單芯片適用於高達 25Gbit/s的電信應用，在 1x4 陣列上則可達100Gbit/s。其中GaAs PD具有專為 850nm 應用進行優化的增透膜 (AR coating) 以及40µm 探測窗口的台面結構。提供出色的低暗電流和低電容。InGaAs PD則具有專為 1310nm/1550nm 應用進行優化的增透膜 (AR coating) 以及25µm 探測窗口的台面結構。
