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EML 56G 1342nm Chip，脊波导结构，具有多量子阱（MQW）有源层，单片集成量子阱EA调制器，冷却操作温度为45℃至55℃，符合RoHS标准，符合Telcordia GR-468标准，应用于50G PON。EML 56G 1271/1291/1311/1331nm，脊波导结构，DFB激光器集成高速电吸收调制，使用56GBd PAM4信号支持112Gb/s，低阈值电流，工作温度50°C，符合RoHS标准，符合Telcordia GR-468标准。

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