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立式炉主要适用于6"、8"、12"晶圆的氧化、合金、退火等工艺。氧化是在中高温下通入特定气体（O2/H2/DCE），在硅片表面发生氧化反应，生成二氧化硅薄膜的一种工艺。生成的二氧化硅薄膜可以作为集成电路器件前道的缓冲介质层和栅氧化层等。退火是在中低温条件下，通入惰性气体（N2），消除硅片界面处晶格缺陷和晶格损伤，优化硅片界面质量的一种工艺。

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