产品图片:
产品介绍:
基于磷化铟（InP）材料的边发射DFB芯片具有低阈值、高功率、抗反射、小发散角等特性，同时具备极高可靠性。产品可用于光纤通信、数据中心和接入网等领域。芯片材料运用MOCVD进行外延生长，包括InGaAlAs多量子阱材料、butt-joint对接生长、光栅层overgrowth等；主要晶圆制造工艺包括Stepper曝光、EBL光栅曝光、butt-joint工艺、ICP干法刻蚀、E-gun/Sputter金属薄膜生长、自动腐蚀/清洗、减薄和芯片切割等。
