产品图片:
产品介绍:
800G DR8 硅光芯片
● 速率：8×100 Gbps PAM4
● 工作波长：1310 nm
● 单通道插损：<5 dB
● 电光带宽：>38 GHz
● 差分阻抗：60 ohms
● 差分驱动电压：3.5 Vppd
● 消光比：>4.5 dB
● 工作温度：0~70 ℃
● 速率：8×100 Gbps PAM4
● 工作波长：1310 nm
● 单通道插损：<5 dB
● 电光带宽：>38 GHz
● 差分阻抗：60 ohms
● 差分驱动电压：3.5 Vppd
● 消光比：>4.5 dB
● 工作温度：0~70 ℃
