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本研磨机为双面精密研磨抛光设备，主要用于第三代半导体晶圆的研磨和CMP抛光，整机的运行采用独立的驱动电机，使上盘、下盘、中心轮、大齿圈速度达到最佳配比，游轮实现正转、反转，满足加工工艺需求；采用气囊加工方式，搭配SMC电气比例阀的进行控制，精确控制压力及采用精密接触式日本“SONY”在线监测，产品加工后的厚度公差与平面度公差可控制在± 0.002mm。

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