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氧化镓单晶衬底及外延片
行业类别：
光电子创新展
产品范围：
科研院所
应用领域：
半导体加工/制造
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产品介绍:
氧化镓单晶材料与单晶碳化硅及氮化镓一样，是一种新型宽禁带半导体材料，得益于其超高的禁带宽度（4.8-4.9 eV），β型氧化镓单晶的理论击穿电场值可达到8 MV/cm，是硅的20多倍、单晶碳化硅及氮化镓的2倍以上。因此，基于β型氧化镓单晶的功率器件具有更高的击穿电压与更低的导通电阻，从而拥有更低的导通损耗和更高的功率转换效率，在功率电子器件方面具有极大的应用潜力。
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