新微半导体在光电领域可提供基于InP和GaAs材料的光电探测器和激光器系列产品从外延到晶圆制造的代工服务，晶圆尺寸涵盖3吋、4吋及6吋；在射频领域，可为客户提供6吋GaAs和GaN射频器件代工业务，工艺制程包括0.15um、0.25um和0.45um HEMT器件；在功率电子领域，公司具备6吋硅基氮化镓非金工艺代工能力，为客户提供高性能GaN功率器件制造服务。

上海新微半导体有限公司（简称“新微半导体”）成立于2020年，位于上海临港新片区。一期建筑面积60,000平方米，其中洁净室面积超8,000平方米，专注于为光电、射频和功率三大化合物半导体应用领域提供芯片制造平台，产品服务于工业、消费电子、通信、生物医疗、汽车、新能源、微波、人工智能与大数据等众多应用领域。 新微半导体拥有一支具备全球化视野、产业经验丰富的生产、研发和管理团队，吸引了海内外具有丰富产业经验的技术人才,形成了成熟的研发和工程技术团队。新微半导体在国内外化合物半导体技术基础上，通过先进异质外延技术、新型键合技术、衬底技术和封装技术,实现与硅工艺深度融合，获得性能和成本的双重竞争力。